3d nand sjećanja: Kina će započeti s proizvodnjom u 2017. godini

Sadržaj:
Tvrtka Yangtze River Storage Technology (YRST) prva će u Kini proizvesti novu 3D NAND memoriju. Proizvodnja prvih 3D NAND memorijskih membrana započet će u 2017. godini i nadaju se da će proizvesti ovu vrstu memorije na 32 razine.
Napravit će 300 000 3D NAND memorije
3D NANDs mogu sadržavati više slojeva memorije unutar istog silikona, pa se SSD pogoni većeg kapaciteta mogu postići u istom prostoru. Tvrtke poput Intel-Micron ili A-DATA već imaju ovu vrstu memorije na tržištu. Ovo bi bio prvi put da kineski proizvođač počinje proizvoditi NAND Flash i DRAM memorije.
Ukupna investicija tvrtke YRST iznosi 24 000 milijuna dolara za dovršavanje tvornice, a već se planira proširenje pogona u 2018. i posljednja faza širenja u 2019. To su postigli ne samo YRST, već i ulaganje same kineske vlade i savez s vodećom poluvodičkom tvrtkom XMC. Izvori također pokazuju da postoji podrška Tsinghua Unigroupa u suradnji s Micronom, tako da nije malo onih koji su uključeni u ovaj posao.
Očekuje se da će YRST moći proizvoditi oko 300.000 rezina mjesečno, što će poslužiti zadovoljavanju rastuće potražnje za NAND memorijama koje se koriste u SSD-ovima i pametnim telefonima. Vijest je važna jer bi pomogla da se u srednjoročnom roku smanje troškovi ove vrste jedinica. Još jedan korak za početak povlačenja tvrdih diskova koji su s nama desetljećima.
Tsmc će započeti s proizvodnjom 5nm u drugoj polovici 2019. godine

TSMC je potvrdio da planira započeti 'proizvodnju rizika' čvora 5nm u drugoj polovici 2019. godine.
Tsmc će u ožujku započeti s proizvodnjom čipova u 7 nm euv

Najveći svjetski proizvođač čipova spreman je masovno proizvoditi prve 7nm čipove s EUV tehnologijom.
Tsmc će započeti s proizvodnjom 'složenih' 3d čipova 2021. godine

TSMC nastavlja gledati u budućnost, potvrđujući da će tvrtka započeti masovnu proizvodnju sljedećih 3D čipova 2021. godine.