Micron govori o raskidu s informacijama u vezi s nandom

Micron je govorio o uzroku raskida s Intelom u vezi s suradnjom u razvoju NAND memorije. Prošlog siječnja Intel i Micron objavili su da im se unija u razvoju NAND memorije privodi kraju, a obje tvrtke planiraju nastaviti samostalno razvijati svoju NAND tehnologiju.

Micron će se kladiti na Charge-Trap tehnologiju za proizvodnju svojih NAND čipova

Razlog ovog raspada do sada je bio nepoznat, iako je sve ukazivalo na to da su Intel i Micron svoju NAND tehnologiju htjeli odvesti u zasebnim smjerovima. Micron i Intel koriste Floating Gate NAND tehnologiju, proizvodnu tehniku koju promoviraju kao superiornu modelu Charge-Trap, a koriste je gotovo svi drugi proizvođači kao što su Samsung, SK Hynix, Western Digital i Toshiba. Gledajući naprijed prema četvrtoj generaciji, Micron planira prebaciti se na Charge-Trap, ostavljajući Intel kao jedini zagovornik Floating Gate tehnologije.

Preporučujemo čitanje našeg posta o najboljim SSD-ovima trenutka SATA, M.2 NVMe i PCIe (2018)

Do sada je Micron bio skeptičan prema dugovječnosti NAND 3D Charg-Trap memorije, špekulirajući da bi se podaci mogli izgubiti nakon šest mjeseci bez napajanja. Dakle, Micron nije vjerovao da je NAND razvijen Charge-Trapom upotrebljiv kao dugoročni neisparljivi medij za pohranu. Trenutno većina proizvođača koristi Charge-Trap bez znakova problema s gubitkom podataka, pa je Micron odlučio prihvatiti ovu tehnologiju koju je do sada odbio.

Unatoč ovom raskidu, dvije tvrtke nastavljaju zajednički rad na razvoju XPoint memorije, s planovima da nastave razvijati tehnologiju kao nehlapljivi medij za pohranu i kao alternativu DRAM-u u odabranim aplikacijama.

Overlock3d font