Samsung najavljuje 3nm mbcfet proces, 5nm će stići 2020. godine

Na tržištu mobilne SoC, TSMC ubrzano napreduje kada je u pitanju uvođenje novih čvorova u proces proizvodnje. Danas je korejski tehnološki gigant Samsung objavio planove za razne procesne čvorove. To uključuje 5nm FinFET i 3nm GAAFET varijaciju koju je Samsung registrirao kao MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).

Samsung najavljuje 3nm MBCFET postupak

Danas je na forumu Samsung Foundry u Santa Clari tvrtka najavila planove za svoj proces proizvodnje poluvodiča sljedeće generacije. Velika najava odnosi se na razvoj Samsungovog 3nm GAA koji je tvrtka nazvala 3GAE. Samsung je potvrdio da je prošlog mjeseca objavio čvorove dizajna za čvor.

Samsung je surađivao s IBM-om u vezi s procesnim čvorovima GAAFET (Gate-All-Around), no danas je tvrtka najavila svoje prilagodbe prethodnom procesu. To se naziva MBCFET i, prema tvrtki, omogućava veću struju po bateriji zamjenom Gate All Around nanowire s nanoschemom. Zamjena povećava područje vožnje i omogućuje dodavanje više vrata bez povećanja bočnog otiska. Vrlo tehnički podaci, ali s rezultatom koji bi trebao u velikoj mjeri poboljšati razvoj FinFET-a.

Dizajn proizvoda za Samsungov postupak od 5 nm FinFET, koji je razvijen u travnju, očekuje se da će biti gotov u drugoj polovici ove godine, a masovna će se proizvodnja staviti u prvu polovicu 2020. godine.

U drugoj polovici ove godine, Samsung planira započeti masovnu proizvodnju 6nm procesnih uređaja i potpun razvoj 4nm procesa. Dizajn proizvoda za Samsungov postupak od 5 nm FinFET, koji je razvijen u travnju, očekuje se da će biti gotov u drugoj polovici ove godine, a masovno će se pokrenuti u prvoj polovici 2020. godine.

Wccftechguru3d Font