Samsung govori o svojoj tehnologiji v

Nedavno je u Japanu održan događaj Samsung SSD Forum, na kojem je južnokorejska kompanija otkrila prve detalje o svojim sljedećim 96-slojnim V-NAND jedinicama memorije temeljenim na QLC tehnologiji.

Samsung daje prve detalje svoje 96-slojne V-NAND QLC memorije

Korištenje V-NAND QLC memorije preko V-NAND TLC nudi 33% veću gustoću pohrane i samim tim niže troškove skladištenja po GB, što je vrlo važno ako želite da se SSD-ovi potpuno zamijene mehanički tvrdi diskovi jednog dana. Prvi Samsung-ovi SSD-ovi koji su prihvatili V-NAND QLC memoriju bit će modeli velikog kapaciteta za one kupce koji trebaju pohraniti veliku količinu podataka i koji možda neće biti zainteresirani za maksimalne performanse kao prvi čipovi u ovaj će tip zaostajati za onima na temelju TLC-a u prednostima.

Preporučujemo čitanje našeg posta na najboljim SSD-ovima trenutka SATA, M.2 NVMe i PCIe

Samsung već više od godinu dana otvoreno radi na U.2 SSD pogonima ultra velikog kapaciteta temeljen na V-NAND QLC memoriji. Ovi će se pogoni koristiti za WORM (pisati jednom, pročitati mnoge) aplikacije koje nisu optimizirane za brzo pisanje, ali jasno nadmašuju matrice temeljene na HDD-u. Samsung očekuje da će prvi NVMe pogoni s QLC-om ponuditi uzastopne brzine čitanja do 2.500 MB / s, kao i do 160 K IOPS slučajnih čitanja.

Druga linija Samsungovih proizvoda temeljenih na V-NAND QLC tehnologiji bit će potrošački SSD-ovi kapaciteta veće od 1TB. Ovi će pogoni koristiti SATA sučelje i ponudit će propusnu brzinu čitanja i pisanja od oko 520 MB / s. Samsung uskoro ne očekuje da QLC V-NAND zamijeni TLC V-NAND kao primarnu vrstu flash memorije. NAND QLC zahtijeva skuplje kontrolere, sa znatno većim mogućnostima obrade, kako bi se osigurao odgovarajući otpor.

Anandtech font